Как осуществляется управление электронными пучками. Большая энциклопедия нефти и газа

Изобретение относится к электронике и может быть использовано при создании электронных приборов, лазеров, а также в плазмохимии, спектроскопии, при обработке материалов, электронно-лучевой сварке и в диагностических измерениях. Способ получения электронного пучка заключается в проведении в непрерывном или импульсном режиме высоковольтного разряда в разрядном промежутке между катодом и анодом в объеме разрядной камеры, заполненной газом, ускорении и извлечении электронного пучка через отверстия в аноде, осуществлении подачи на катод светового потока, вызывающего фотоэффект, от внешнего по отношению к разрядному промежутку источника излучения при проведении высоковольтного разряда, при этом если увеличивают напряжение, то понижают давление газа в разрядной камере, причем в качестве внешнего по отношению к разрядному промежутку источника излучения используют дрейфовое пространство за анодом, вблизи катода формируют протяженную область с низким градиентом потенциала, а в объеме разрядной камеры между протяженной областью с низким градиентом потенциала и анодом используют вставку с диэлектрическими каналами, в которых осуществляют ускорение электронов, причем в качестве анода используют плоскую пластину с просверленными отверстиями. Величину подаваемого в непрерывном режиме напряжения варьируют от 1,5 до 10 кВ, а соответствующее давление - от 6 до 12 Торр. Величину подаваемого в импульсном режиме напряжения варьируют от 1,5 до 10 кВ, а соответствующее давление от 8 до 16 Торр. Применение заявляемого способа для получения электронных пучков дает возможность получать их с высокой эффективностью и продлевать срок службы катода. 2 с. и 2 з.п. ф-лы., 2 ил.

Изобретение относится к электронике и может быть использовано при создании электронных приборов, лазеров, а также в плазмохимии, спектроскопии, при обработке материалов, электронно-лучевой сварке и в диагностических измерениях. Известен способ получения электронного пучка (патент США 4641316, МПК 4 Н 01 S 3/09), включающий осуществление высоковольтного разряда в разрядном промежутке между катодом и анодом в объеме разрядной камеры, заполненной газом, ускорение и извлечение электронного пучка через отверстие в аноде. При этом высоковольтный разряд осуществляют в непрерывном режиме, используя аномальный тлеющий разряд. Причем если увеличивают напряжение, то понижают давление газа в разрядной камере. Ускоряют электроны в области катодного падения потенциала. Анод используют кольцевой. На катоде, выполненном из алюминия или магния, применяют окисное покрытие Аl 2 О 3 или Mg 2 O 3 , либо высоковольтный разряд осуществляют в смеси газов с небольшой примесью кислорода. Недостатками данного способа являются низкая эффективность формирования электронного пучка и сильное распыление катода, сокращающее срок его службы. Причины недостатков заключаются в следующем. Для получения электронов используют их эмиссию из катода под действием ионов, ускоренных в области катодного падения потенциала и бомбардирующих катод, ионы, ускоряясь в области катодного падения потенциала, приобретают значительную энергию и замыкают часть тока на катод, снижая тем самым эффективность формирования электронного пучка. Кроме того, режим большого тока ионов на катод, необходимый для получения электронов, и высокая величина энергии ионов, необходимая для повышения эффективности формирования электронного пучка, разрушают окисное покрытие, которое используют для повышения коэффициента ионно-электронной эмиссии, в результате имеет место быстрый выход катода из строя. Другой известный способ получения электронного пучка (а.с. СССР 820511, МПК 3 Н 01 J 39/35) включает осуществление высоковольтного разряда в разрядном промежутке между катодом и анодом в объеме разрядной камеры, заполненной газом, ускорение и извлечение электронного пучка через отверстия в аноде, подачу на катод светового потока, вызывающего фотоэффект, от внешнего по отношению к разрядному промежутку источника излучения при осуществлении высоковольтного разряда. При этом высоковольтный разряд осуществляют в импульсном режиме, при более, чем двукратном его перенапряжении, величина давления газа в разрядной камере составляет свыше 0,1 Торр, причем если увеличивают напряжение, то понижают давление газа в разрядной камере, электроны ускоряют в области катодного падения потенциала, а анод используют сетчатый. Недостатком данного способа является низкая эффективность формирования электронного пучка вследствие необходимости использования сетчатого анода и вследствие того, что в своем движении внутри ускорительного промежутка от катода к аноду электроны производят ионизацию рабочего газа. Ионы, ускоряясь в области катодного падения потенциала, приобретают значительную энергию и замыкают часть тока на катод, снижая тем самым эффективность формирования электронного пучка. Другим существенным недостатком является распыление катода, что приводит к ограничению срока его эксплуатации. Причина этого недостатка - существование значительного ионного тока на катод, формируемого ионами, ускоренными в области катодного падения потенциала. Наиболее близким техническим решением к заявляемому является способ получения электронного пучка (А.Р.Сорокин. Непрерывный электронный пучок в открытом разряде. Журнал технической физики, т.65, в.5, 1995, с.198-201), включающий осуществление высоковольтного разряда в разрядном промежутке между катодом и анодом в объеме разрядной камеры, заполненной газом, ускорение и извлечение электронного пучка через отверстия в аноде, подачу на катод светового потока, вызывающего фотоэффект, от внешнего по отношению к разрядному промежутку источника излучения при осуществлении высоковольтного разряда. Причем высоковольтный разряд осуществляют в непрерывном режиме, при этом если увеличивают напряжение, то понижают давление газа в разрядной камере, величину подаваемого напряжения варьируют от 1 до 6 кВ, величина давления газа в разрядной камере составляет от 1 до 10 Торр, в качестве внешнего по отношению к разрядному промежутку источника излучения используют дрейфовое пространство за анодом, электроны ускоряют в области катодного падения потенциала, а анод используют сетчатый. Недостатком данного технического решения является сравнительно низкая эффективность формирования электронного пучка вследствие необходимости использования сетчатого анода и вследствие того, что в своем движении внутри ускорительного промежутка от катода к аноду электроны производят ионизацию рабочего газа. Ионы, ускоряясь в области катодного падения потенциала, приобретают значительную энергию и замыкают часть тока на катод, снижая тем самым эффективность формирования электронного пучка. Другим существенным недостатком является распыление катода, происходящее из-за значительного ионного тока на катод, формируемого ионами, ускоренными в области катодного падения потенциала. Техническим результатом изобретения является: - повышение эффективности формирования электронного пучка; - уменьшение распыления катода. Технический результат достигается тем, что в способе получения электронного пучка проводят в непрерывном режиме высоковольтный разряд в разрядном промежутке между катодом и анодом в объеме разрядной камеры, заполненной газом, ускоряют и извлекают электронный пучок через отверстия в аноде, осуществляют подачу на катод светового потока, вызывающего фотоэффект, от внешнего по отношению к разрядному промежутку источника излучения при проведении высоковольтного разряда, при этом если увеличивают напряжение, то понижают давление газа в разрядной камере. В качестве внешнего по отношению к разрядному промежутку источника излучения используют дрейфовое пространство за анодом, вблизи катода формируют протяженную область с низким градиентом потенциала, в объеме разрядной камеры между протяженной областью с низким градиентом потенциала и анодом используют вставку с диэлектрическими каналами, в которых осуществляют ускорение электронов, а в качестве анода используют плоскую пластину с просверленными отверстиями. В способе получения электронного пучка величину напряжения, подаваемого в непрерывном режиме, варьируют от 1,5 до 10 кВ, а соответствующее давление - от 6 до 12 Торр. Технический результат достигается тем, что в способе получения электронного пучка проводят высоковольтный разряд в разрядном промежутке между катодом и анодом в объеме разрядной камеры, заполненной газом, ускоряют и извлекают электронный пучок через отверстия в аноде, осуществляют подачу на катод светового потока, вызывающего фотоэффект, от внешнего по отношению к разрядному промежутку источника излучения при проведении высоковольтного разряда, при этом если увеличивают напряжение, то понижают давление газа в разрядной камере, в качестве внешнего по отношению к разрядному промежутку источника излучения используют дрейфовое пространство за анодом, высоковольтный разряд осуществляют в импульсном режиме, вблизи катода формируют протяженную область с низким градиентом потенциала, в объеме разрядной камеры между протяженной областью с низким градиентом потенциала и анодом используют вставку с диэлектрическими каналами, в которых осуществляют ускорение электронов, а в качестве анода используют плоскую пластину с просверленными отверстиями. В способе получения электронного пучка величину подаваемого в импульсном режиме напряжения варьируют от 1,5 до 10 кВ, а соответствующее давление - от 8 до 16 Торр. Сущность изобретения поясняется нижеследующим описанием и прилагаемыми к нему чертежами. На фиг. 1 схематично изображена разрядная камера, содержащая катод 1, плоский анод 2 в виде пластины с просверленными отверстиями, вставку с диэлектрическими каналами 3, выполненную из кварца, причем диэлектрические каналы располагают соосно отверстиям в аноде, и коллектор электронов 4. На фиг.2 показана вольт-амперная характеристика, например, непрерывного разряда в гелии (аналогичные вольт-амперные характеристики получены для импульсного разряда), демонстрирующая высокую эффективность формирования электронного пучка, где 5 - зависимость тока анода, компенсирующего ток ионов на катод, от величины напряжения между катодом и анодом при давлении гелия, равном 8,1 Торр, 6 - зависимость тока анода, компенсирующего ток ионов на катод, от величины напряжения между катодом и анодом при давлении гелия, равном 9,5 Торр, 7 - зависимость тока электронов пучка на коллекторе от величины напряжения между катодом и анодом при давлении гелия, равном 8,1 Торр, 8 - зависимость величины суммарного тока с катода от величины напряжения между катодом и анодом при давлении гелия, равном 8,1 Торр, 9 - зависимость величины суммарного тока с катода от величины напряжения между катодом и анодом при давлении гелия, равном 9,5 Торр, 10 - зависимость эффективности формирования электронного пучка от величины напряжения между катодом и анодом при давлении гелия, равном 8,1 Торр, 11 - зависимость эффективности формирования электронного пучка от величины напряжения между катодом и анодом при давлении гелия, равном 9,5 Торр. Осуществление заявляемого способа в разрядной камере (фиг.1) происходит следующим образом. Повышением напряжения между катодом и анодом переводят электроны, эмитированные катодом, в режим ускорения и выносят в дрейфовое пространство за анодом. Часть ускоренных электронов, рожденных на катоде под выполненной из кварца вставки с диэлектрическими каналами, попадает на ее поверхность и заряжает ее до потенциала U=E/e, где Е и е - соответственно энергия и заряд электрона. Тем самым формируют протяженную область с низким градиентом потенциала, так как поле в промежутке вставка с диэлектрическими каналами - катод практически полностью исчезает. Взаимодействием поля, создаваемого заряженной вставкой с диэлектрическими каналами, с приложенным полем создают эквипотенциальные поверхности типа поверхности АВ, показанной на фиг.1, величина потенциала на которой близка к приложенному напряжению, U АВ ~U к. Электроны, эмитированные катодом, в начале своего пути направляют через протяженную область с низким градиентом потенциала и только затем ускоряют до энергии E=eU к и производят ими ионизацию газа. Поскольку вставку с диэлектрическими каналами заряжают до потенциала примерно соответствующего потенциалу катода, то ускоряющее поле существенно только в диэлектрических каналах. Поэтому образование ионов и вторичных электронов происходит преимущественно в этих каналах и в дрейфовом пространстве за анодом. Вследствие эффективного протекания процессов амбиполярной диффузии они рекомбинируют на стенках каналов и на катоде, не вызывая переноса тока между катодом и анодом. Быстрые ионы, рожденные в области высокого градиента потенциала, расположенной за эквипотенциальной поверхностью АВ, рассеивают свою энергию в упругих соударениях с атомами рабочего газа и также теряют свою способность векторно переносить ток на катод. В итоге подавляющую часть тока в камере переносят электроны пучка. Для оптимального выбора интервала напряжения были построены зависимости изменения эффективности формирования электронного пучка от подаваемого напряжения (как при подаче напряжения в непрерывном режиме, так и в импульсном), например, при вариации его от 450 В до 4 кВ (фиг.2, кривые 10 и 11, непрерывный режим подачи напряжения). Оптимальный интервал значений подаваемого напряжения как в непрерывном, так и в импульсном режиме составил 1,510 кВ. При изменении напряжения горения от зажигания U~450 В до U~650 В генерация электронного пучка происходит как в способе получения электронного пучка (патент США 4641316, МПК 4 H 01 S 3/09), где использован аномальный тлеющий разряд. Эффективность формирования электронного пучка выражается соотношением =j e /(j e +j i), (1) гдe j i - плотность тока ионов, бомбардирующих катод; j e - плотность тока эмиссии электронов. Так как j e = i j i (2), где i - коэффициент ионно-электронной эмиссии, то = i /( i +1) (3). Данный интервал значений напряжения характеризуется невысокими соответствующими значениями эффективности формирования электронного пучка, так как i меньше 0,5. Высокую эффективность формирования электронного пучка можно получить только при более высоком напряжении. В интервале значений напряжения от U~650 В до U~1200 В значения эффективности формирования электронного пучка постепенно повышаются до ~95%, так как, помимо электрон-ионной эмиссии, значительно возрастает фотоэмиссия. Одновременно с этим набираемая электронами энергия становится настолько значительной, что они заряжают поверхность вставки с диэлектрическими каналами до потенциала, близкого к значению приложенного напряжения. В результате поле в промежутке катод - вставка с диэлектрическими каналами резко ослабляется, принимая вид, показанный на фиг.1 (эквипотенциальная поверхность АВ). Совместно с действием амбиполярного механизма гибели ионов и вторичных электронов это вызывает глубокое падение ионного тока на катод и электронного тока на анод. Падение значения анодного тока настолько велико, что приводит к возникновению участка с падающей вольт-амперной характеристикой и для суммарного тока, фиг.2 кривая 8. Однако при этом рост тока электронного пучка сохраняется (фиг.2 кривая 7). В интервале от U~2 кВ до U~5 кВ значения напряжения настолько велики, что электроны переходят в режим ускорения во всем разрядном промежутке между катодом и анодом, а не только в области вблизи эквипотенциальной поверхности АВ. Поэтому в основном они производят ионизацию внутри диэлектрических каналов кварцевой вставки и в области дрейфового пространства. Вследствие развитости боковой структуры диэлектрических каналов вставки, ионы и вторичные электроны, рожденные там, гибнут на стенках в результате процессов амбиполярной диффузии, что уменьшает приток ионов в прикатодную область и вызывает ослабление ионного тока на катод, а также компенсирующего его электронного тока на анод. Все это приводит к увеличению эффективности формирования электронного пучка до величины ~99,5% при значении тока электронов I е ~1520 мА. В этом интервале варьирования значения напряжения реализуются оптимальные условия формирования электронного пучка по заявляемому способу. Превышение электронного тока над ионным достигает фактора I е /I i =200, что значительно выше, чем в известном способе. В таком же соотношении уменьшается и скорость распыления катода. При миллисекундных импульсах возбуждения, когда разогрев газа и его вытеснение из камеры меньше, значение еще выше и достигает значения равного 99,8% или более, значение фактора I e /I i =500. При более высоких напряжениях, чем значения рассмотренного интервала, ионы, ускоренные в зоне за эквипотенциальной поверхностью АВ, приобретают настолько большую энергию, что уже могут "пробить" протяженную область с низким градиентом потенциала и достигнуть катода, что приводит в данном случае к постепенному снижению эффективности формирования электронного пучка при I е ~20 мА и более и в зависимости от давления газа в разрядной камере при подаваемом напряжении U от 4 до 5 кВ. При давлении газа в разрядной камере, равном Р=4 Торр, падение эффективности формирования электронного пучка имеет место при подаваемом напряжении 10 кВ. "Пробой" происходит из-за быстрого снижения сечения столкновения иона с атомами газа при увеличении энергии иона. В результате происходит перенос потенциала вглубь протяженной области с низким градиентом потенциала, что уменьшает ее толщину, и, наконец, при U более 5 кВ (I e ~100 мА и более) имеет место зажигание аномального разряда и резкое (до ~ 80% и ниже) снижение эффективности формирования электронного пучка. Для выбора интервала давления газа в разрядной камере, в котором имеет место повышение эффективности формирования электронного пучка, были проведены эксперименты при изменении давления газа в камере от 4 до 20 Торр. Оптимальный интервал значений газа в разрядной камере составил 612 Торр при подаче напряжения в непрерывном режиме. При подаче напряжения в импульсном режиме данный интервал составил - 816 Торр. Направление на катод светового потока, вызывающего фотоэффект, от внешнего по отношению к разрядному промежутку источника излучения при проведении высоковольтного разряда повышает выход электронов с катода, что эквивалентно повышению i (соотношение 2), и тем самым повышает (соотношение 3) и приводит к относительному уменьшению распыления катода. Использование дрейфового пространства за анодом в качестве источника излучения, вызывающего фотоэффект, позволяет получить как непрерывный, так и импульсный режим формирования электронного пучка. В заявляемом способе в качестве анода используют плоскую пластину с просверленными отверстиями, и расположенную позади вставки с диэлектрическими каналами (3) (фиг.1). Это является фактором способствующим повышению эффективности формирования электронного пучка, так как анод в этом случае не перехватывает ток быстрых электронов, как в известном способе пучка (А.Р. Сорокин. Непрерывный электронный пучок в открытом разряде. Журнал технической физики, т.65, в.5, 1995, с.198-201), а формирование вблизи катода протяженной области с низким градиентом потенциала приводит к дополнительному росту эффективности формирования электронного пучка. Действительно, как показано (П.А.Бохан. Механизм формирования и генерация интенсивных электронных пучков в открытом разряде. Журнал технической физики, т.61, в.6, 1991, с. 61-68), эффективность формирования электронного пучка без учета потерь в анодной сетке равна
вн = 1/(1+(dw/dx)/w 0) (4),
где - доля энергетических затрат электронного пучка, идущая на ионизацию, которая составляет от 60 до 70% для благородных газов;
- длина ускорительного зазора;
dw/dx - энергетические потери пучка при движении в газе;
w 0 - средняя энергия, затрачиваемая на образование одного иона. Например, в гелии при давлении Р He =10 Торр, U=2 кВ и =0,7 мм потери dw/dx=185 эВ/см. Так как для гелия w 0 ~50 эВ, то, в соответствии с соотношением (4), в этом режиме вн = 86,5%. Если геометрическая прозрачность анодной сетки = 85%, то в итоге эффективность формирования электронного пучка в известном способе (А. Р. Сорокин. Непрерывный электронный пучок в открытом разряде. Журнал технической физики, т.65, в.5, 1995, с.198-201) составляет всего ~ 74%. В заявляемом способе эффективность формирования электронного пучка намного выше см. фиг.2 (кривая 10, 11). При ионной бомбардировке катода скорость распыления его пропорциональна плотности тока ионов на катод, и составляет, в зависимости от материала катода и энергии ионов, 0,2-1,5 атома/ион (М.А.Завьялов, Ю.Б.Крейдель, А.А. Новиков, Л. П. Шантурин. Плазменные процессы в технологических электронных пучках. М. : Энергоиздат, 1989, 256 с.). Так как в заявляемом способе величина плотности тока ионов на катод в десятки раз меньше, чем в известных способах (А.Р.Сорокин. Непрерывный электронный пучок в открытом разряде. Журнал технической физики, т.65, в.5, 1995, с.198-201; а.с. СССР 820511, МПК 3 Н 01 J 39/35; патент США 4641316, МПК 4 Н 01 S 3/09), то соответственно и распыление катода - в десятки раз меньше. Пример 1
При давлении газа в разрядной камере, равном 10,1 Торр, напряжении в непрерывном режиме U= 2,5 кВ, при I e =20 мА эффективность формирования электронного пучка составляет 99,2%. Пример 2
При давлении газа в разрядной камере, равном 9,1 Торр, напряжении в непрерывном режиме U=3,6 кВ, при I е =25 мА эффективность формирования электронного пучка составляет около 99,4%. Пример 3
При давлении газа в разрядной камере, равном 7,6 Торр, напряжении в непрерывном режиме U=5,1 кВ, при I е =20 мА эффективность формирования электронного пучка составляет около 99,3%. Пример 4
При давлении газа в разрядной камере, равном 8,1 Торр, напряжении в импульсном режиме U=8 кВ, при I е =70 мА, длительности импульса =1mS эффективность формирования электронного пучка составляет около 99,6%. Пример 5
При давлении газа в разрядной камере, равном 12 Торр, напряжении в импульсном режиме U=6 кВ, при I e =100 мА, длительности импульса = 100S эффективность формирования электронного пучка составляет около 99%. Пример 6
При давлении газа в разрядной камере, равном 16 Торр, напряжении в импульсном режиме U=4 кВ, при I e =200 мА, длительности импульса = 50S эффективность формирования электронного пучка составляет около 98%. Таким образом, применение заявляемого способа для получения электронных пучков дает возможность получать их с высокой эффективностью и продлевать срок службы катода.

Формула изобретения

1. Способ получения электронного пучка, заключающийся в проведении в непрерывном режиме высоковольтного разряда в разрядном промежутке между катодом и анодом в объеме разрядной камеры, заполненной газом, ускорении и извлечении электронного пучка через отверстия в аноде, осуществлении подачи на катод светового потока, вызывающего фотоэффект, от внешнего по отношению к разрядному промежутку источника излучения при проведении высоковольтного разряда, при этом если увеличивают напряжение, то понижают давление газа в разрядной камере, причем в качестве внешнего по отношению к разрядному промежутку источника излучения используют дрейфовое пространство за анодом, отличающийся тем, что вблизи катода формируют протяженную область с низким градиентом потенциала, а в объеме разрядной камеры между протяженной областью с низким градиентом потенциала и анодом используют вставку с диэлектрическими каналами, в которых осуществляют ускорение электронов, причем диэлектрические каналы располагают соосно в аноде, а в качестве анода используют плоскую пластину с просверленными отверстиями.2. Способ получения электронного пучка по п.1, отличающийся тем, что величину подаваемого в непрерывном режиме напряжения варьируют от 1,5 до 10 кВ, а соответствующее давление - от 6 до 12 Торр.3. Способ получения электронного пучка, заключающийся в проведении высоковольтного разряда в разрядном промежутке между катодом и анодом в объеме разрядной камеры, заполненной газом, ускорении и извлечении электронного пучка через отверстия в аноде, осуществлении подачи на катод светового потока, вызывающего фотоэффект, от внешнего по отношению к разрядному промежутку источника излучения при проведении высоковольтного разряда, при этом, если увеличивают напряжение, то понижают давление газа в разрядной камере, причем в качестве внешнего по отношению к разрядному промежутку источника излучения используют дрейфовое пространство за анодом, отличающийся тем, что высоковольтный разряд осуществляют в импульсном режиме, вблизи катода формируют протяженную область с низким градиентом потенциала, а в объеме разрядной камеры между протяженной областью с низким градиентом потенциала и анодом используют вставку с диэлектрическими каналами, в которых осуществляют ускорение электронов, причем диэлектрические каналы располагают соосно отверстиям в аноде, а в качестве анода используют плоскую пластину с просверленными отверстиями.4. Способ получения электронного пучка по п.3, отличающийся тем, что величину подаваемого в импульсном напряжении варьируют от 1,5 до 10 кВ, а соответствующее давление - от 8 до 16 Торр.

При торможении быстрых элект­ронов, попадающих на вещество, во­зникает рентгеновское излучение. Некоторые вещества (стекло, суль­ фиды цинка и кадмия), бомбарди­руемые* электронами, светятся. В на­стоящее. время среди материалов этого типа (люминофоров") приме­няются такие, у которых в световую энергию превращается до 25% энер­гии электронного пучка. Виагра купить перевод виагра doctor-stvol.com/viagra-100/4615-viagra-100-dnepr .

Электронные пучки отклоняются электрическим полем. Например, проходя между пластинами конден­сатора, электроны отклоняются от отрицательно заряженной пластины к положительно заряженной (рис. 177).

Электронный пучок отклоняется также в магнитном поле. Пролетая над северным полюсом магнита, элект­роны отклоняются влево, а проле­тая над южным, отклоняются впра­во (рис. 178). Отклонение электрон­ных потоков, идущих от Солнца, в магнитном поле Земли приводит к тому, что свечение газов верхних слоев атмосферы (полярные сияния) наблюдается только у полюсов.

Возможность управления элект­ронным пучком с помощью электри­ческого или магнитного полей и све­чение покрытого люминофором эк­рана под действием пучка применя­ют в электронно-лучевой трубке.

Электронно-лучевая трубка.

Эле­ктронно-лучевая трубка - основной элемент телевизора и осциллогра­фа*- прибора для исследования быстропеременных процессов в элект­рических цепях (рис. 179).

Устройство электронно-лучевой трубки показано на рисунке 180 Трубка представляет собой вакуум­ный баллон, одна из стенок которого служит экраном. В узком конце труб­ки помещен источник быстрых элект­ронов - электронная пушка (рис. 181). Она состоит из катода, управ­ляющего электрода и анода (чаще несколько анодов располагаются друг за» другом). Электроны испус­каются нагретым оксидным слоем с торца цилиндрического катода С, окруженного теплозащитным экра­ном //. Далее они проходят через отверстие в цилиндрическом управ­ляющем электроде В (он регулирует число электронов в пучке). Каждый анод ai и Л 2 состоит из дисков с не­большими отверстиями. Эти диски вставлены в металлические цилинд­ры. Между первым анодом и катодом создается разность потенциалов в сотни и даже тысячи вольт. Сильное электрическое поле ускоряет элект­роны, и они приобретают большую скорость. Форма, расположение и по­тенциалы анодов выбраны так, чтобы наряду с ускорением электронов осу­ществлялась и фокусировка элект­ронного пучка, т. е. уменьшение пло­щади поперечного сечения пучка на экране почти до точки.

На пути к экрану пучок после­довательно проходит между двумя парами управляющих пластин, по­добных пластинам плоского конден­сатора (см. рис. 180). Если электри­ческого поля между пластинами нет, то пучок не отклоняется и светящая­ся точка располагается в центре эк­рана. При сообщении разности по­тенциалов вертикально расположен­ным пластинам пучок смещается в горизонтальном направлении, а при сообщении разности потенциалов го­ризонтальным пластинам он смеща­ется в вертикальном направлении.

Одновременное использование двух пар пластин позволяет перемещать светящуюся точку по экрану в любом направлении. Так как масса элект­ронов очень мала, то они почти мгно­венно реагируют на изменение раз­ности потенциалов управляющих пластин.

Основным средством вакуумной электроники СВЧ, служащим для преобразования энергии источника постоянного тока в энергию электромагнитного поля СВЧ колебаний, являются электронные пучки – протяженные электронные потоки, ограниченные в поперечном сечении.

Электронные пучки создаются с помощью специальных электронно-оптических устройств – так называемых электронных пушек, выбрасывающих ускоренные электроны, траектории которых приблизительно параллельны оси пушки.

Рассмотрим такие основные характеристики электронных пучков, как мощность, первеанс и интенсивность электронного потока, а также взаимозависимость между конфигурацией электронного потока и ЗС прибора.

Мощность пучка (произведение переносимого им тока I на напряжениеU , которым были ускорены электроны) определяет мощность прибора СВЧ:P =U I .

Важной характеристикой электронного потока является первеанс, определяемый как  . Первеанс является мерой интенсивности потока. В приборах СВЧ, как правило, применяются интенсивные электронные потоки, в которых сила взаимного расталкивания электронов существенно влияет на движение электронов, так что их действием пренебрегать нельзя. Интенсивными, как показывают расчеты, следует считать потоки, у которых первеанс принимает значения, большие 10 -8 –10 -7 A/В 3/2 . Ввиду малости численного значения первеанса часто пользуются более удобной величиной – микропервеансом m , определяемым равенством

 =  m  10 -6 . (1.34)

Мощность электронного потока через первеанс можно выразить формулой

P =U I =U 5/2 .

Как видно из формулы, при неизменном первеансе мощность очень быстро растет по мере роста U (так, при увеличении напряжения на порядок мощность возрастает более чем в 300 раз).

Однако во всех приборах мощность выгоднее увеличивать не столько за счет роста напряжения, сколько за счет роста тока пучка, так как чем больше рабочее напряжение, тем сложнее конструкция изоляторов в приборе и тем сложнее источники питания и, как следствие, громоздкость и сложность высоковольтного оборудования. Снижение рабочего напряжения при заданной мощности пучка не только уменьшает сложность аппаратуры, но и приводит к уменьшению габаритов прибора за счет сокращения длины активных участков электродинамической системы (ЭДС). В ЛБВ с возрастанием первеанса может увеличиваться коэффициент усиления и КПД.

Для того чтобы сформированный пучок можно было успешно использовать в электронных приборах СВЧ, необходимо, сохраняя хорошую форму, провести его через все пространство взаимодействия с высокочастотными полями. Поскольку в сильноточных электронных пучках действуют значительные кулоновские силы взаимного отталкивания зарядов, приводящие к «разбуханию» пучков, эта задача оказывается зачастую не менее сложной, чем формирование самого пучка.

Для борьбы с «разбуханием» пучков чаще всего применяют постоянное магнитное поле, параллельное оси пучка. Из-за относительно большой длины приборов достаточно сильное магнитное поле требуется создать на большом участке. Поэтому масса магнитной фокусирующей системы (МФС) получается весьма большой. Меньшие затраты на мощность и массу магнитных систем реализуются при использовании периодической магнитной фокусировки, при которой электронный пучок пропускается вдоль знакопеременного магнитного поля. Подобную систему собирают из отдельных коротких магнитных колец, разделенных втулками из материала, обладающего высокой магнитной проницаемостью. Аналогичного результата добиваются и с помощью периодической электростатической фокусировки, которая осуществляется рядом периодически расположенных электростатических линз. Такая система обладает еще меньшей массой и потребляемой мощностью.

Помимо магнитного удержания существует еще один способ борьбы с «разбуханием» пучков, заключающийся в том, что в объем электронного пучка вводится некоторое количество положительно заряженных ионов, которые своим пространственным зарядом компенсируют отрицательный пространственный заряд электронов. В простейшем случае ионы можно создать, оставив в объеме прибора некоторое количество «неоткачанного» газа. Электроны пучка на своем пути будут ионизировать молекулы этого газа. Образовавшиеся в результате ионизации вторичные электроны выбрасываются за пределы пучка кулоновскими силами, тогда как положительные ионы будут удерживаться этими силами в его объеме. В результате даже при очень малых давлениях остаточного газа может образоваться такое количество положительных ионов, что их концентрация сравнивается с концентрацией электронов в пучке. На этом накопление ионов прекратится и установится стационарное состояние, при котором в объеме пучка образуется квазинейтральная среда, напоминающая плазму. Пространственный заряд электронов оказывается скомпенсированным, и пучок не «разбухает». Описанное явление, называемое ионной фокусировкой, наблюдается при давлениях остаточных газов, превышающих 10 -6 мм рт. ст.

В зависимости от формы поперечного сечения электронные пучки разделяются на три основных типа: ленточный, аксиально-симметричный и трубчатый.

Системой формирования электронного потока называется совокупность электрических и магнитных полей, а также образующих их электродов и магнитных цепей, необходимых для создания электронных потоков нужной конфигурации. Она содержит четыре области:

1) область электронной пушки, в которой имеется источник электронов – катод и анод, между которыми приложено ускоряющее напряжение U 0 ;

2) переходную область – область между пушкой и областью регулярной части МФС, в которой сила электростатического поля, созданного электродами, резко уменьшается, продолжается действие сил пространственного заряда, которые в конце области становятся главной расфокусирующей силой, стремящейся расширить поток, начинают действовать фокусирующие силы магнитного поля, направленные к оси пучка; в переходной области заканчивается формирование электронного потока и происходит «согласование» параметров потока, созданного пушкой, с параметрами регулярной части системы формирования;

3) область регулярной части системы формирования, в которой расположена ЭДС прибора и происходит взаимодействие потока с СВЧ полем;

4) область коллектора, в которой электроны «отработанного» потока воспринимаемые специальной металлической поверхностью, заканчивают свое движение в системе; чем больше КПД прибора, тем меньше мощность, рассеивающаяся на коллекторе; форма поверхности коллектора выбирается таким образом, чтобы тепловые нагрузки на эту поверхность не превышали допустимой удельной величины.

Электрон как устойчивая материальная частица может быть сравнительно просто выделен различными физическими спосо­бами, что и обусловило его широкое использование в различных областях науки и техники.

Внутри кристалла каждый атом удерживается симметрично направ­ленными силами связи. На свобод­ной поверхности кристалла или жидкости атом неуравновешен вследствие того, что со стороны ок­ружающей среды связь отсутствует или заметно ослаблена. Это вызыва­ет повышение энергии поверхност­ного слоя кристалла wn. Если необ­ходимая атому энергия, для переме­щения внутри тела равна wq (см. Рис. 1.2. Потенциальный барь - рис. 1.2), то для выхода в окружаю - ер для системы атомов у по - щую среду она равна wn, причем

Wq. Поэтому для соединения

границе твердой и жидкой фаз ДВуХ монокристаллов в один требу - (iб) в начальный период их ется введение извне деформацион-

контакта «

ной или тепловой энергии, превы­шающей граничную энергию wT.

Внешняя деформационная энергия будет затрачиваться на пре­одоление сил отталкивания, возникающих между сближаемыми поверхностными атомами. Когда расстояния между ними будут равны межатомному расстоянию в кристаллической решетке, воз­никнут квантовые процессы взаимодействия электронных оболо­чек атомов. После этого общая энергия системы начнет снижаться до уровня, соответствующего энергии атомов в решетке целого кристалла, и появится «выигрыш» энергии, равный избыточной энергии поверхностных атомов кристаллов до их соединения - энергии активации.

Тепловая энергия, сообщенная поверхностным атомам при по­вышении температуры, увеличивает вероятность развития кванто­вых процессов электронного взаимодействия в соединении.

Стадийность процесса сварки. Результаты исследований и теоретический анализ показывают, что сварку и пайку можно от­нести к классу так называемых топохимических* реакций, которые отличаются двухстадийностью процесса образования прочных связей между атомами соединяемых веществ (рис. 1.3), характер­ной только для микроучастков соединяемых поверхностей.

Топохимические реакции - это химические реакции с участием твердых

На первой стадии (А) развивается фи­зический контакт, т. е. осуществляется сближение соединяемых веществ на рас­стояния, требуемые для межатомного взаимодействия. При этом энергетические уровни связи соответствуют уровням, ха­рактерным для физической адсорбции = 0,04...0,4 кДж/моль). На второй стадии (Б) - стадии химического вза­имодействия (схватывания) - заканчива­ется процесс образования прочного соединения. Схватывание - бездиффузи - онный процесс и в принципе может про­исходить при любых температурах, если возможна микропластическая деформа­ция.

На практике получение монолитных соединений осложняется тем, что свари­ваемые поверхности имеют:

Микронеровности - 10 м даже при тщательной обработке (поэтому при совмещении поверхностей контакт возможен лишь в отдельных точках);

Загрязнения, так как на любой поверхности твердого тела ад­сорбируются атомы внешней среды.

Для монолитного соединения материалов при сварке необхо­димо обеспечить контакт по большей части стыкуемых поверхно­стей и их активацию.

Энергия активации. Активация поверхности заключается в том, что поверхностным атомам твердого тела сообщается некото­рая энергия, необходимая:

Для разрыва старых связей между атомами тела и атомами внешней среды, обусловленных физико-химическим состоянием поверхности;

Для повышения энергии поверхностных атомов до уровня по­тенциального барьера, при котором возможно образование новых химических связей, т. е. схватывание.

В общем случае энергия активации может быть сообщена в форме теплоты (термическая активация), упругопластической де­формации (механическая активация), электронного, ионного и Других видов облучения (радиационная активация).

Наиболее простой способ получения электронов - нагрев твер­дых тел (чаще всего металлов), которые при этом начинают испус­кать термоэлектроны. Для сообщения электронам необходимой энергии и формирования из них потока частиц, несущих опреде­ленную энергию, могут использоваться различные методы. Самый простой из них и наиболее распространенный - ускорение элек­тронов с помощью электрического поля, создаваемого в электрон­ной пушке между катодом и анодом, в котором на электрон дейст­вует сила

где е = 1,6* 10 Кл - заряд электрона; Е - напряженность элек­трического поля, В/м.

При движении электрона в электрическом поле между точками с разностью потенциалов U он приобретает энергию

Это приращение энергии электрона происходит вследствие его ускорения полем - увеличения его кинетической энергии, т. е.

где те - масса электрона, кг; v, г0 - конечная и начальная скоро­сти электрона, м/с. Принимая Vq = 0, получим

т. е. энергия электрона зависит от его массы и скорости. В реаль­ных условиях, когда масса электрона постоянна, единственный путь увеличения его энергии - повышение скорости его движения, что и реализуется в электронной пушке.

Из формулы (3.4) можно получить выражение для скорости движения электрона при прохождении между точками с разностью потенциалов U:

где п - концентрация газа на пути движения электронов; г - газо­кинетический радиус взаимодействия молекул газа.

Значения средней длины свободного пробега электрона в воз­духе (при 300 К) для разных значений давленияр приведены ниже:

р, Па................................ 1,01 105 133 1,33 1,3 ■ 10-2

Л, мм................................ 3,5 10^ 2,6- 10~‘ 26,6 2660

Таким образом, исходя из конструктивных особенностей уста­новок, максимально допустимым давлением в камере для элек-

условиях давление стараются довести до 5 10 или 5-Ю Па, так как при ухудшении вакуума в электронной пушке резко увеличи­вается число ионизированных электронами ионов остаточных га­зов и это может привести к пробою промежутка между анодом и катодом электронной пушки. При повышении давления в камере До 1...10 Па рассеяние электронного пучка становится существен­ным в пространстве его дрейфа и это ограничивает возможную Длину пучка.

Очевидно, что выводить электронный пучок из вакуума в об­ласть с более высоким давлением имеет смысл только в том слу­чае, если длина свободного пробега электронов в этой области предельно мала. Такие электронные пушки с выводом электронно­го пучка в атмосферу иногда применяют для сварки. При этом электронная пушка перемещается непосредственно по сваривае­мому изделию, ход пучка в атмосфере составляет не более 10 мм. Применяемое ускоряющее напряжение составляет 150...200 кВ, а в зону между пушкой и свариваемой поверхностью подают защит­ный газ (гелий или аргон).

При падении электронного пучка на обрабатываемую поверх­ность кинетическая энергия электронов в результате их взаимо­действия с атомами вещества обрабатываемой поверхности пре­вращается в другие виды энергии.

Максимальное значение плотности мощности qim электронно­го пучка в зоне его воздействия на вещество может достигать 7 8 2

10 ...10 Вт/см, что позволяет проводить размерную обработку материалов путем их локального испарения в месте воздействия пучка на изделие. По мере уменьшения qim (это сравнительно просто можно осуществить расфокусировкой пучка) возможно проведение термических процессов (плавки, сварки, нагрева в ва­кууме), а также нетермических процессов - стерилизации, поли­меризации и т. п.

Достигая обрабатываемой поверхности, электроны пучка внед­ряются в вещество, испытывая торможение и проходя при этом некоторый путь. Длина этого пути, изученная Шонландом, опре­деляется по формуле

где 8 - глубина проникания электрона в вещество, см; U - ускоряющее напряжение, В; р - плотность вещества, г/см.

Реальная глубина проникания электрона в вещество в соответ­ствии с формулой (3.9) обычно не превышает нескольких десятков микрометров, но ею нельзя пренебрегать при учете взаимодейст­вия электронов с веществом, особенно при больших значениях плотности мощности в электронном пучке. Проходя сквозь веще­ство, электроны взаимодействуют с кристаллической структурой или отдельными частицами вещества. При этом вследствие обмена энергией увеличивается амплитуда колебаний составляющих ве­щество частиц, изменяются параметры его кристаллической ре­шетки, повышается температура вещества. Достаточно большая энергия, сообщенная электронами атомам, может привести даже к разрыву связей между отдельными атомами.

При торможении электрона в веществе кроме выделения теп­ловой энергии происходит еще ряд различных явлений. Суммар­ное выделение энергии при электронной бомбардировке поверх­ности расходуется на следующие основные процессы:

1) собственно нагрев поверхности, используемый в технологи­ческих целях;

2) тормозное рентгеновское излучение, возникающее при элек­тронной бомбардировке материалов;

3) вторичная электронная эмиссия, отражение электронов и термоэлектронная эмиссия с обрабатываемой поверхности;

4) побочные явления, сопровождающиеся потерями энергии.

Следует отметить, что электронный пучок имеет максималь­ный коэффициент поглощения энергии в обрабатываемом вещест­ве, достигающий 80...95 % полной мощности источника и являет­ся одним из самых эффективных источников энергии для сварки.

Нагрев обрабатываемого материала электронным пучком осу­ществляется в результате выделения тепловой энергии в поверх­ностных слоях вещества и дальнейшей передачи теплоты в его внутренние слои. Высокая интенсивность ввода энергии в вещест­во при электронно-лучевой обработке приводит к развитию значи­тельных поверхностных температур, уровень которых может пре­вышать точку кипения даже самых тугоплавких материалов.

ЭЛЕКТРОННЫЙ ПУЧОК - поток электронов, движущихся по близким траекториям в одном направлении, имеющий размеры, значительно большие в направлении движения, чем в поперечной плоскости. Поскольку Э. п. является совокупностью одноимённых заряж. частиц, внутри него имеется пространственный заряд электронов, создающий собств. электрич. поле. С др. стороны, движущиеся по близким траекториям электроны можно рассматривать как линейные токи, создающие собств. магн. поле. Электрич. поле пространств. создаёт силу, стремящуюся расширить пучок ("кулоновское расталкивание"), магн. поле линейных токов создаёт силу Лоренца, стремящуюся сжать пучок. Расчёт показывает, что действие пространств. заряда начинает заметно сказываться (при энергиях электронов в неск. кэВ) при токах в неск. десятых мА, тогда как "стягивающее" действие собств. магн. поля заметно проявляется только при скоростях электронов, близких к скорости света-энергии электронов порядка МэВ. Поэтому при рассмотрении Э. п., используемых в разл. электронных приборах, техн. установках, в первую очередь необходимо принимать во внимание действие собств. пространств. заряда, а действие собств. магн. поля учитывать только для релятивистских пучков.

Интенсивность Э. п . Осн. критерием условного разделения Э. п. на неинтенсивные и интенсивные является необходимость учёта действия поля собств. пространств. заряда электронов пучка. Очевидно, чем больше ток пучка, тем больше пространств. заряда, сильнее расталкивание. С др. стороны, чем больше скорость электронов, тем меньше скажется на характере движения электронов собств. электрич. поле пучка - чем выше энергия электронов, тем "жёстче" пучок. Количественно действие поля пространств. заряда характеризуется коэф. пространственного заряда - п е р в е а н с о м, определяемым как

где I -ток пучка; U -ускоряющее напряжение, определяющее энергию электронов пучка .

Заметное влияние пространств. заряда на движение электронов в пучке начинает проявляться при P>=P* = = 10 -8 А/В 3/2 = 10 -2 мкА/В 3/2 . Поэтому к интенсивным пучкам принято относить Э. п. с Р>P* .

Неинтенсивные пучки (с Р<Р* )малого сечения, часто называемые электронными лучами, рассчитываемые по законам геом. электронной оптики без учёта действия поля собств. пространств. заряда, формируются с помощью электронных прожекторов и используются в основном в разл. электронно-лучевых приборах .

В интенсивных пучках действие собств. пространств. заряда существенно влияет на характеристики Э. п. Во-первых, интенсивный Э. п. в пространстве, свободном от внеш. электрич. и магн. полей, за счёт кулоновского расталкивания неограниченно расширяется; во-вторых, за счёт отрицат. электрич. заряда электронов пучка происходит падение потенциала в пучке. Если с помощью внеш. электрич. или магн. полей ограничить расширение интенсивного пучка, то при достаточно большом токе потенциал внутри пучка может понизиться до нуля, пучок "оборвётся". Поэтому для интенсивных пучков существует понятие предельного (максимального) первеанса. Практически при ограничении расширения пучка внеш. полями удаётся сформировать протяжённые устойчивые интенсивные пучки с P 5 . 10 мкА/В 3/2 .

Полное матем. описание интенсивных Э. п. затруднительно, поскольку реальный электронный поток состоит из множества движущихся электронов, учесть взаимодействие между к-рыми практически невозможно. При введении нек-рых упрощающих предположений, в частности, заменяя сумму сил, действующих на выбранный электрон со стороны соседних электронов, силой действия на этот электрон нек-рой электрически заряженной среды с непрерывно распределённой плотностью пространств. заряда и разбивая весь пучок на совокупность "трубок тока", удаётся с помощью ЭВМ рассчитать с достаточной для практич. целей точностью осн. параметры интенсивного пучка: форму пучка (огибающую), распределение плотности тока и потенциала по сечению пучка.

Геометрия Э. п . Практически применяются пучки трёх конфигураций: ленточные (плоские), имеющие в поперечном сечении вид прямоугольника с "толщиной", значительно меньшей "ширины", осесимметричные, имеющие в поперечном сечении форму круга, и трубчатые, имеющие в поперечном сечении форму кольца. Для формирования Э. п. таких типов разработаны соответствующие электронные пушки и системы ограничения.

Влияние пространств. заряда неодинаково в пучках разл. конфигурации. Наиб. влияние на характер движения электронов на границе Э. п. имеет составляющая напряжённости электрич. поля, создаваемого пространств. зарядом, направленная перпендикулярно оси осесимметричных пучков и широкой стороне ленточных.

Радиальная составляющая напряжённости электрич. поля на границе осесимметричного пучка прямо пропорциональна току пучка и обратно пропорциональна радиусу его сечения и скорости электронов пучка. Это создаёт силу, направленную от оси, стремящуюся расширить пучок. Расталкивающая сила тем больше, чем больше ток, меньше скорость и радиус пучка. Теоретически в осесимметричных пучках траектории электронов не могут пересечь ось, а сечение пучка нельзя свести в точку, т. к. при уменьшении сечения расталкивающая сила неограниченно возрастает.


Огибающие осесимметричных электронных пучков: g 0 -угол входа пучка в свободное от полей прост ранство; r 0 - начальный радиус; 1 - расходящийся пучок (g 0 >0); 2-цилиндрический пучок (g 0 =0); 3 , 4, 5-сходящиеся пучки (g 0 <0). Пучок 4 - опти мальный, так как кроссовер (наименьшее сечение ) пучка находится на самом удалённом расстоянии (z/l =0,5) от исходной плоскости .

Огибающая интенсивного осесимметричного пучка в пространстве, свободном от электрич. и магн. полей, описывается зависимостью, близкой к экспоненциальной. На рис. показаны огибающие осесимметричных пучков, имеющих до входа в свободное пространство цилиндрическую (кривая 2, g 0 = 0), расходящуюся (кривая 1, g 0 >0) и сходящуюся (кривые 3-4, g 0 <0) формы (g 0 - угол наклона касательной к огибающей пучка, угол входа). Как видно на рис., пучки, первоначально сформированные как цилиндрические (g 0 = 0) и расходящиеся (g 0 >0), в свободном от полей пространстве неограниченно расширяются; пучки, сформированные как сходящиеся, вначале сжимаются (r /r 0 <1), проходят плоскость наименьшего сечения (плоскость кроссовера), затем также начинают расширяться. Радиус мин. сечения пучка - радиус кроссовера-определяется выражением

где r 0 - радиус Э. п. до входа в свободное пространство.

Радиус кроссовера тем меньше, чем меньше первеанс и больше | g 0 |. С ростом (по абс. величине) угла входа пучка в свободное от полей пространство (g 0) плоскость кроссовера сначала удаляется от исходной плоскости, за-

тем начинает приближаться к ней (последовательно кривые 3, 4, 5). Для каждого значения первеанса существует оптимальный "угол влёта" g 0 , при к-ром кроссовер наиб. удалён от исходной плоскости, то есть Э. п. с данным первеансом может быть проведён на наибольшее расстояние с радиусом, не превышающим исходный.

Ленточные интенсивные пучки в свободном от электрич. и магн. полей пространстве также неограниченно расширяются (становятся "толще"), контур огибающей пучка описывается параболич. законом. В отличие от осесимметричного пучка, ленточный пучок при оптимальном входном угле теоретически может быть сведён в линию, т. е. может быть получен линейный фокус. Пучки др. конфигураций в свободном пространстве также неограниченно расширяются; трубчатый Э. п. расширяется несколько меньше, чем сплошной осесимметричный.

Эксперим. проверка полученных расчётных соотношений затруднена, поскольку само понятие границы (огибающей) интенсивного пучка условно, т. к. в реальных пучках плотность тока при удалении от оси осесимметричного или от ср. плоскости ленточного пучков спадает постепенно, и границей пучка условно считается окружность или прямая, вдоль к-рой плотность тока составляет нек-рую малую долю (~0,1) её макс. величины на оси.

Потенциал Э. п . Падение потенциала внутри интенсивного пучка ограничивает возможность формирования протяжённого интенсивного пучка с высоким первеансом. Тео-ретич. исследования показывают, что в интенсивном неограниченном потоке, заполняющем пространство между двумя плоскими параллельными проводящими поверхностями с одинаковым потенциалом, определяющим энергию электронов потока, с увеличением тока в ср. плоскости образуется минимум потенциала. При достижении P= 18,64 мкА/В 3/2 потенциал спадает до нуля, образуется виртуальный катод ,часть электронов проходит через плоскость минимума, часть отражается к исходной плоскости, нормальное токопрохождение нарушается. Эксперим. проверка подтверждает это, именно при приближении P к 18,64 мкА/В 3/2 в потоке возникают неустрйчивости, электронных слоев, прохождение тока нарушается.

В реальных Э. п., ограниченных внеш. электрич. и магн. полями, также происходит падение потенциала, но т. к. в большинстве приборов, где используются интенсивные Э. п., протяжённый пучок пропускается через трубу с положит. потенциалом, на поверхности пучка удаётся поддерживать потенциал, близкий к потенциалу трубы. Но и при наличии проводящей трубы потенциал на оси осесимметричного или в ср. плоскости ленточного пучков заметно понижается, и по достижении достаточно большого первеанса (большего, чем в случае неограниченного потока) возникает неустойчивость, пучок обрывается.

Формирование Э. п . Поскольку Э. п. в свободном пространстве неограниченно расширяется, при практич. использовании интенсивных пучков кроме системы, формирующей пучок,- электронной пушки-необходима система, ограничивающая расхождение пучка. Расширение Э. п. ограничивается с помощью внеш. электрич. и магн. полей. Классич. пример протяжённого интенсивного Э. п.- т. н. п о т о к Б р и л л ю э н а - цилиндрич. пучок, ограниченный продольным однородным магн. полем. При определ. соотношении четырёх величин - нач. радиуса r 0 , тока пучка I , U 0 , определяющего энергию электронов до входа в магн. поле, и магн. индукции продольного однородного магн. поля B 0 - теоретически возможно получить устойчивый цилиндрич. Э. п. При оптимальном соотношении r 0 , I , U 0 и B 0 макс. первеанс бриллюэновского потока достигает 25,4 мкА/В 3/2 . При макс. первеансе потенциал на оси пучка составляет всего 1/3 значения на границе. При ограничении магн. полем трубчатых пучков можно получить ещё большие значения первеанса.

Практически сформировать протяжённые Э. п. с первеансом, близким к теоретически максимально возможному, не удаётся из-за ряда причин: разброса нач. скоростей электронов, эмитированных катодом, трудности создания ограничивающих полей строго заданной конфигурации, практич. невозможностью строго выполнить нач. условия ввода пучка в систему ограничения и др. Реальные Э. п. имеют волнистую и пульсирующую границы, форма пучка не остаётся неизменной. Поэтому для предупреждения оседания электронов пучка на поверхности пролётного канала радиус проводящей трубки, сквозь к-рую пропускается интенсивный пучок, выбирается на 20-30% больше радиуса пучка.

Лит.: Алямовский И. В., Электронные пучки и электронные пушки, M., 1966; Молоковский С. И., Сушков А. Д., Интенсивные электронные и ионные пучки, 2 изд., M., 1991.

А. А. Жигарев .